مزایا ، معایب و ویژگیها در مقایسه با BJT , Mosfet در حالت روشن
- چگالی زیاد هدایت جریان مستقیم و افت کم ولتاژ مستقیم:
IGBT سه فاز دارای افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم و چگالی جریان در حالت روشن در مقایسه با ماسفت های قدرت و ترانزیستورهای دو قطبی هستند.
- توان راه اندازی کم و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی:
یک IGBT سه فازدر مقایسه با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان ( تریستور و BJT) در ولتاژ و جریان بالا بسیار آسانتر کنترل میشود.
- ناحیه عملکرد ایمن و وسیع :
با توجه به مشخصه های خروجی ، IGBT دارای قابلیت هدایت جریان بهتر و قابلیت انسداد معکوس و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستورهای دو قطبی است.
معایب
درمقایسه با ماسفت های قدرت IGBT دارای سرعت سوییچینگ کمتری است ولی سرعت آن از BJT بسیار بالاتر است .
جریان پسماند کلکتور ( حامل اقلیت) باعث کاهش سرعت خاموش شدن آن می شود.
امکان قفل شدگی بدلیل ساختار تریستوری PNPN
قفل شدگی
همانطور که ذکر شد IGBT دارای 4 لایه متناوب PNPN است که یک ساختار تریستوری را بین کلکتور و امیتر تشکیل می دهد.
قفل شدگی یعنی روشن شدن این تریستورهنگامی که تریستور فعال میشود
دیگرجریان آی جی بی تی گیت ماسفت کنترل نمیشود وممکن است IGBT سه فاز به علت جریان بیش ازحد مجاز بین کلکتورو امیتر و در نتیجه پراکندگی توان آسیب ببیند.
پرهیز از قفل شدگی
1-برای جلوگیری از قفل شدگی اولین روش جلوگیری از روشن شدن ترانزیستور NPN
2- نگه نداشتن مجموع گیت های جریان دو ترانزیستور NPN و PNP کمتر از یک در صورت روشن شدن ترانزیستور NPN است.
